硅基分立器件-上�；；；；；；Ｌ诓┗鉻bh半导体有限公司

手艺简介

绝缘栅双极型晶体管（IGBT，，，，，，，，Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种混淆型电力电子元件，，，，，，，，其团结了功率BJT和功率MOSFET的优点，，，，，，，，具有MOS栅压控可关断能力，，，，，，，，优良的导通特征（低通态功耗和大额定电流），，，，，，，，适合的开关速率和较宽的清静事情区。。。。。。。。Si IGBT最高耐压可达6500V，，，，，，，，事情频率为2kHz至50kHz。。。。。。。。现在IGBT普遍应用于消耗类电器、工业控制、工业电源、新能源发电、智能电网、轨道交通、机车牵引和电动汽车等领域。。。。。。。。

平台现状

腾博汇tbh恒久专注于功率IGBT工艺手艺的开发，，，，，，，，积累了富厚的开发履历和量产履历，，，，，，，，现已具备平面IGBT与沟槽IGBT全系列工艺手艺平台能力。。。。。。。�；；；；；；Ｌ诓┗鉻bh乐成开发了1200V~6500V平面非穿通型IGBT清静面场终止型IGBT、以及600V~1700V沟槽栅场终止型（Trench FS）IGBT，，，，，，，，基于Trench FS平台又乐成开发了650V/1200V逆导（RC）IGBT。。。。。。。�；；；；；；Ｌ诓┗鉻bh8吋量产的最新一代高密度沟槽栅高能氢注入场终止IGBT，，，，，，，，饱和压降小、开关消耗低，，，，，，，，且已通过车规级可靠性审核，，，，，，，，产品应用于新能源汽车、光伏逆变、储能、工业工控等领域。。。。。。。。

手艺能力

高密度沟槽栅刻蚀，，，，，，，，LOCOS CMP，，，，，，，，Poly CMP，，，，，，，，Taiko背面研磨，，，，，，，，高能氢注入，，，，，，，，激光退火，，，，，，，，高压大电流CP测试，，，，，，，，Ring Cut & Dicing

手艺简介

金属氧化物半导体场效应管（MOSFET，，，，，，，，Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）是由金属、氧化物及半导体三种质料制成的器件。。。。。。。。所谓功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能输出较大的事情电流，，，，，，，，用于功率输出级的器件，，，，，，，，最高耐压可达900V。。。。。。。。功率MOSFET主要用于电机控制（电动车、电动工具）、电源管理(锂电�；；；；；；；�，，，，，，，，光伏储能)、开关电源（同步整流，，，，，，，，PD快充)等领域。。。。。。。。

平台现状

腾博汇tbh恒久专注于功率MOSFET工艺手艺平台开发，，，，，，，，拥有富厚的MOSFET生产制造履历。。。。。。。。现已形成包括Trench MOS，，，，，，，，SGT和Super-Junction MOSFET等在内的多种类MOSFET功率器件工艺手艺平台。。。。。。。。其中腾博汇tbh8寸研发量产的SGT平台已涵盖30-200V，，，，，，，，且已通过车规级可靠性审核。。。。。。。。该器件接纳电荷平衡手艺，，，，，，，，可以显着减小器件的导通电阻和米勒电容，，，，，，，，实现更优的品质因数（FOM），，，，，，，，从而有用降低导通消耗，，，，，，，，提高开关性能和事情效率，，，，，，，，在不中止电源、电池管理系统、电机驱动、服务器等领域有普遍的应用。。。。。。。。

手艺能力

高密度深沟槽栅刻蚀，，，，，，，，高密度等离子体氧化物填充，，，，，，，，多晶硅与氧化硅CMP，，，，，，，，Taiko背面研磨

腾博汇tbh6吋/8吋线拥有富厚的TVS（瞬态电压制制器）工艺研发和生产履历；；；；；；；拥有特色的外延工艺和基于现有CMOS后段产线升级的工艺，，，，，，，，能制造出超低电容和超低回折电压的高端产品，，，，，，，，客户产品已经打入国际一流3C产品供应链，，，，，，，，拥有能为海内外客户定制化平面型和沟槽型产品的工艺计划。。。。。。。。

手艺简介

快恢复二极管（FRD，，，，，，，，Fast Recovery Diode）具有快速的开通和高速关断能力，，，，，，，，具有极短的反向恢复时间、较小的反向过冲电流和较好的软恢复特征，，，，，，，，可用于续流二极管（FWD, Freewheeling diode），，，，，，，，在IGBT关断后，，，，，，，，为电路中的感性负载提供续流回路，，，，，，，，减小电容的充放电时间，，，，，，，，同时抑制负载电流的瞬时反向引起的高感应电压。。。。。。。。同时，，，，，，，，FRD也可以用于整流二极管。。。。。。。。现在FRD普遍应用于消耗类电器、工业/工控、可再生能源、新能源汽车等领域。。。。。。。。

平台现状

腾博汇tbh6吋拥有以外延片和扩散片为基础的FRD制程，，，，，，，，支持电子辐照手艺举行少子寿命控制。。。。。。。。已量产包括650V/750V/1200V/1700V的手艺平台工艺，，，，，，，，并乐成开发出3300V/4500V/6500V的超高压平台。。。。。。。。
腾博汇tbh8吋区熔片（FZ）FRD平台，，，，，，，，接纳低发射极掺杂效率设计和高能氢注入缓冲层，，，，，，，，以及业内最先进的局域寿命控制手艺（LLC，，，，，，，，Local Lifetime Control），，，，，，，，具有低正向导通电压、软恢复特征、正温度系数等性能优势。。。。。。。。最高结温175℃，，，，，，，，并可通过车规级可靠性审核。。。。。。。。产品应用于新能源汽车、大功率光伏逆变、储能、工业工控等领域。。。。。。。。同时，，，，，，，，在此基础上，，，，，，，，开发了1200V外延（EPI）FRD平台，，，，，，，，本钱更低，，，，，，，，以知足客户的差别应用需求。。。。。。。。

手艺能力

全局寿命控制，，，，，，，，局域寿命控制，，，，，，，，Taiko背面研磨，，，，，，，，高能氢注入，，，，，，，，激光退火，，，，，，，，高压大电流CP测试，，，，，，，，Ring Cut & Dicing

手艺简介

MEMS 是使用集成电路制造手艺和微结构、微传感器、控制处置惩罚电路甚至接口电路、通讯电路和电源电路等制造在一块或多块芯片上的微型集成系统，，，，，，，，是微电路和微机械按功效要求在芯片上的集成，，，，，，，，属于微电子手艺与机械工程团结的一种工业手艺，，，，，，，，普遍应用于消耗电子领域，，，，，，，，机械领域、汽车工业领域以及化工与医疗器械领域

平台现状

腾博汇tbh拥有凌驾10年的MEMS加工履历，，，，，，，，具有厚外延，，，，，，，，深槽刻蚀，，，，，，，，金属蒸金，，，，，，，，富硅氮化硅以及其他定制化的解决计划，，，，，，，，现在具备光学MEMS传感器的研发和规模量产能力，，，，，，，，同时, MEMS扬声器仍在一连开发历程中。。。。。。。。

手艺能力

CMOS兼容工艺、厚外延、深槽刻蚀、金属蒸金、富硅氮化硅，，，，，，，，可应用于硅光通讯、消耗电子、工业控制

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特色工艺

硅基分立器件